机译:硅腐蚀中使用的混合气体等离子体中化学过程的建模。第2部分:SF6 / O2用于蚀刻硅的气态混合物等离子体中化学过程的建模。第2部分:SF6 / O2
机译:用硅腐蚀中使用的气体混合物对等离子体中的化学过程进行建模。第2部分:SF6 / O2
机译:用硅腐蚀中使用的气体混合物对等离子体中的化学过程进行建模。第1部分:CF4 / O2
机译:对硅蚀刻中使用的气体混合物的等离子体中的化学过程进行建模。第2部分:SF6 / O2
机译:在低等离子密度反应离子刻蚀系统中,使用SF6 / H2 / O2等离子的高纵横比深硅微/纳米级特征刻蚀
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:N2-O2混合物和SF6气体中激发的低压RF远程等离子体灭活革兰氏阴性细菌
机译:用于硅腐蚀的气体混合等离子体中化学过程的模拟。第2部分:sF6 / O2用于硅蚀刻的气态混合物等离子体中化学过程的模型。第2部分:sF6 / O2
机译:sF6-空气混合物中CO2激光辐射吸收的温度依赖性,